收藏本站
NTD50N03R
100
80
10 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
100
80
V DS ≥ 10 V
T J = ?55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
60
40
4.5 V
4V
3.5 V
60
40
20
V GS = 2.6 V
2.8 V
3V
20
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.065
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.030
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.055
I D = 15 A
T J = 25 ° C
0.025
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.045
0.035
0.020
0.015
0.025
0.015
0.005
0.010
0.005
0
V GS = 10 V
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
20
30
40
50
2.0
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.8
I D = 10 A
V GS = 10 V
V GS = 0 V
1.6
T J = 150 ° C
1.4
1000
1.2
1.0
T J = 125 ° C
0.8
0.6
100
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD5413NT4G MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
NTD5414NT4G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NTD5802NT4G MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
NTD5803NT4G MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
NTD5804NT4G MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
NTD5805NT4G MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
NTD5806NT4G MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
NTD5807NT4G MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD5406N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK
NTD5406NG 功能描述:MOSFET NFET 40V HD3E RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5406NT4G 功能描述:MOSFET NFET 40V HD3E RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5407N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK
NTD5407NG 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5407NT4G 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5413N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK
NTD5413NT4G 功能描述:MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube